Samsung усвоява 5 nm технологичен процес
Вчера Samsung обяви, че планира да внедри 10 nm FinFET технология. Освен това, компанията започва масово производство на 14 nm чипове. На конференцията Solid State Circuits Conference (ISSCC) в Сан Франциско обаче президентът по полупроводниковата продукция Ким Ки-Нам обяви, че е по силите на компанията да произведе и чипове по 5-нанометрова технология, тъй като “в този технологичен процес няма фундаментални пречки”.
Освен това, Ким Ки-Нам сподели, че инженерите на южнокорейската компания са намерили начин за използване на технологичен процес до 3,2 нанометра. Естествено, тук се поставя въпросът какъв материал ще използва Smausng за това почти фантастично производство.
Навремето Intel твърдеше, че използването на силиций става невъзможно при технологичен процес под 7 nm. Едно от възможните решения на Samsung може да е използването на галиев-индиев арсенид (InGaAs), който вече се използва в производството на свръхточна електроника и в сравнение със силиция има по-подвижни носители на заряда.