Samsung планира да внедри 10 nm FinFET технология

Samsung възнамерява да усвои производството на мобилни процесори по 10 nm технология. Това заяви президентът на подразделението за полупроводникова продукция на Samsung Ким Ки-Нам.

Напомняме, че неотдавна компанията започна серийно производство на първите в отрасъла мобилни чипове с технология 14nm FinFET. Става дума за Exynos 7 Octa с осем изчислителни ядра, който според слуховете ще се използва във флагманските смартфони Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge. Samsung подчертава, че в сравнение с 20 nm технологичен процес, методът 14nm FinFET позволява да се постигне с 20% по-високо бързодействие и 35% намаляване на консумираната енергия.

Както се очаква, технологията 10nm FinFET ще бъде внедрена през 2016 или 2017 г. Преходът към тази технология ще позволи още повече да се повиши енергийната ефективност, а следователно да се удължи и времето за автономна работа на мобилните устройства. 10 nm технологичен процес ще се прилага и при чиповете за устройствата от категорията “интернет на нещата”.

Трябва да отбележим, че внедряване на 10 nm технология планира и Intel. Производството на такива изделия ще започне към 2017 г. По тази технология ще се произвеждат процесори с кодово название Cannonlake, които ще са наследници на Skylake (2015 г). А към 2018 г Intel планира да започне производство на продукти по 7 nm технология.