Анализатори: Intel може да премине на квантови транзистори
През този месец известният закон на Мур навърши 50 години. Според Intel, законът ще остане актуален поне още 10 години, но как да се постигне това? Известният в полупроводниковия отрасъл анализатор Дейвид Кантър публикува своя прогноза относно плановете на Intel за усъвършенстване на производствените процеси.
Бъдещето на силициевата електроника отдавна се поставя под съмнение. Понататъшното мащабиране на технологичните процеси става все по-трудна задача – утечните токове са сериозен проблем за разработчиците на чипове. За щастие, благодарение на новите материали и архитектури този проблем можеше временно да бъде заобиколен.
В 45 nm процесори на Intel за първи път бяха използвани High-K диелектрици и метален гейт, а в 22 nm чипове Intel за първи път използва FinFET. Подобна технология използва и Samsung (Exynos 7420 в GalaxyS6), а TSMC я интегрира в своето производство през тази година.
И все пак, FinFET не е ключът за решаване на всички проблеми. Разликата между 20 и 28-нанометровите чипове по производителност не е чак толкова очевидна, но увеличението на цените поради добавянето на нови производствени етапи се оказва съществено. Отрасълът се нуждае от решението на нова задача, която ще позволи на закона на Мур да поработи още няколко години – създаването на транзистор с висока производителност при захранващо напрежение под 0,7 волта.
Дейвид Кантър се опитва да прогнозира на кои направление Intel ще отдели повече внимание. Според него, отрасълът ще премине на така наречените Quantum Well FET (QWFET) транзистори, които могат да поддържат високо бързодействие при захранващо напрежение около 0,5V. В качеството на материали за каналите QWFET от n-тип вероятно ще бъдат използвани съставни полупроводници от III-V тип. За каналите от p-тип разработчиците ще се спрат на германий или (което не е много вероятно) на материали от III-V тип.
Освен това, Кантър е уверен, че Intel ще използва QWFET още при 10 nm технология, която ще влезе в производство в края на тази или началото на следващата година. Останалите производители ще внедрят QWFET не преди да преминат на 7 nm технологичен процес. Не се изключва вероятността Intel да представи и така наречените хибридни решения, които обединяват традиционните решения и QWFET.
Самата Intel разбира се не споделя плановете си, но експертът смята, че тя работи именно в това направление. През последните години, на специализирани конференции компанията споменаваше за експериментални резултати с използване на QWFET.
